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氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 提高了转换器效率，与具有相同额定电压的硅 FET 相比，具有更低的栅极电荷、更低的输出电荷和更低的导通电阻。在总线电压大于 380V 的高压 DC/DC 转换器应用中......
我最近与您分享了TI 全新 Piccolo™ F28004x 微控制器 (MCU) 系列的生产公告，该系列针对电源控制应用进行了优化。Piccolo F28004x 用于高性能电源控制的主要特性包括：·片上窗口比较器。·......
碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)等宽带隙材料由于其电气特性已被证明优于硅，因此在电力电子应用中占据领先地位。尽管被广泛接受，但专家们仍在不断检查其真实性。特别是SiC MOSFET用于在高温和开关频率下工作的转换......
碳化硅MOSFET基于硅 (Si) 的电力电子产品长期以来一直主导着电力电子行业。由于其重要的优势，碳化硅(SiC)近年来在市场上获得了很大的空间。随着新材料的应用，电子开关的静态和动态电气特性得到了显着改善。理想的开关......
LTC®5551 是一款 2.5V 至 3.6V 混频器，其专为那些需要非常高动态范围的 RF 下变频混频器应用而优化。LTC5551 覆盖了 300MHz 至 3.5GHz RF 频率范围以及 200MHz ......
这是一个FM RF放大器构建基于RF功率晶体管2SC2539， 2SC2539硅NPN外延平面型晶体管在VHF频段移动无线电应用的RF 功率放大器设计。 电路原理图： L1：2T线圈直径：4毫米 L2：系列6件套环形圈......
如图所示为由RF2162构成的美国CDMA应用电路。射频信号(RF)由4脚输入，经过前置放大器、末级功率放大器放大后由10、11、12脚输出。4脚与内部放大器直接耦合，因此建议外加一个UHF隔直耦合电容。输出端10、11......
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如图所示为由RF2320构成的75Ω阻抗线性放大电路。J1和J2是75ΩF连接器。 ......
amy2025 2025-06-06
amy2025 2025-05-23
amy2025 2025-05-20
dolphin 2017-09-01
dolphin 2017-04-12
dolphin 2017-03-10
